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WSB5503W डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Middle Power Schottky Barrier Diode - Will Semiconductor

भाग संख्या WSB5503W
समारोह Middle Power Schottky Barrier Diode
मैन्युफैक्चरर्स Will Semiconductor 
लोगो Will Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=WSB5503W?> डेटा पत्रक पीडीएफ

WSB5503W pdf
Typical characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
1
Ta=85oC
0.1
Ta=25oC
1000
100
Ta=85oC
Ta=-40oC
10
0.01
1
WSB5503W
Ta=25oC
Ta=-40oC
1E-3
0 100 200 300 400 500 600 700 800
Forward Voltage: V (mV)
F
Forward voltage vs. Forward current
0.1
0.01
0
5 10 15 20 25 30 35
Reverse Voltage: V (V)
R
Reverse current vs. Reverse voltage
40
30 1000
F = 1MHz
25
V = 50mVrms
AC
20 100
15
10 10
5
0
1 10 100
Time: t (uS)
Peak pulse forward current characteristics
1
0 10 20 30
Reverse Voltage: V (V)
R
Junction capacitance vs. Reverse voltage
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125
T -Lead temperature
J
Power Derating
Will Semiconductor Ltd.
2 Jan, 2014 - Rev. 1.1

विन्यास 3 पेज
डाउनलोड[ WSB5503W Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
WSB5503WMiddle Power Schottky Barrier DiodeWill Semiconductor
Will Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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