DataSheet.in

CJQ4953 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - P-Channel MOSFET - JCET

भाग संख्या CJQ4953
समारोह P-Channel MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स JCET 
लोगो JCET लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=CJQ4953?> डेटा पत्रक पीडीएफ

CJQ4953 pdf
026)(7(/(&75,&$/&+$5$&7(5,67,&6
Ta=25 Я unless otherwise specified
Parameter
Static
Drain-source breakdown voltage
Gate-threshold voltage
Symbol
Test Condition
V(BR)DSS
VGS(th)
VGS =0V, ID =-250µA
VDS =VGS, ID =-250µA
Min Typ Max Units
-30
-1.0 -1.5
V
V
Gate-body leakage
IGSS VDS =0V, VGS =±20V
±100 nA
Zero gate voltage drain current
Drain-source on-resistancea
Forward transconductancea
Diode forward voltagea
Dynamicb
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Turn-on delay time
IDSS
RDS(on)
gfs
VSD
VDS =-30V, VGS =0V
VGS =-10V, ID =-4.9A
VGS =-4.5V, ID =-3.7A
VDS =-10V, ID =-4.9A
IS=-1.7A,VGS=0V
-1 µA
50 60 m
66 90
6.0 S
-1.2 V
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
VDS =-15V,VGS =-10V,ID =-4.9A
25
4 nC
2
15
Rise time
Turn-off delay time
tr
td(off)
VDD=-15V,RL=15, ID -1A,
VGEN=-10V,RG=6
20
nS
80
Fall time
tf
Notes :
a. Pulse Test : Pulse width300µs, duty cycle 2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
40
www.cj-elec.com
2
G,Mar,2016

विन्यास 5 पेज
डाउनलोड[ CJQ4953 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
CJQ4953P-Channel MOSFETJCET
JCET


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English