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3DD13005F9-1 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD13005F9-1
समारोह Silicon NPN Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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3DD13005F9-1 pdf
3DD13005 F9-1
R
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=750V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=10mA
hFE2:VCE=5V, IC=1A
IC=2A, IB=0. 5A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=2A, IB=0. 5A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
征频
fT
VCE=10V, IC=0.5A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 3~4~5~6μs
有害物质说明
hFE 分档 20~25~30~35
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
750
450
9
20 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.5 0.8
0.20 0.8 V
0.9 1.4 V
3 6 μs
1 μs
0.8 μs
5 MHz
害物质或元素
多溴 多溴二 六溴邻苯二 邻苯二 邻苯二
件名称
联苯 苯醚 十二烷 甲酸酯 甲
含量要求
PBB PBDE HBCDD DEHP 酸二丁 酸丁苄
铅 汞 镉 六价铬
酯酯
线框
Pb
0.1%
Hg
0.1%
Cd
0.01%
Cr(VI)
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
DBP
0.1%
BBP
0.1%
塑封树脂
○○
○○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2 /4

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD13005F9-1Silicon NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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