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3DD13003V6D डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD13003V6D
समारोह Silicon NPN Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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3DD13003V6D pdf
3DD13003V6D
R
2 电特性
极限值
除非另规定Ta= 25
参数名称
集电-基 极电压
集电-发射极电压
发射极-基 极电压
集电电流
功率
Ta=25
TC=25
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
1.5
1.25
35
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
电参数
除非另规定Ta= 25
参数名称
符号
集电-基极截止电流
集电-发射极截止电流
发射极-基极截止电流
集电-基 极电压
集电-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比
静态值
电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
ts
tr
tf
征频
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ2%
测试条
VCB=350V, IE=0
VCE=200V, IB=0
VEB=9V, IC=0
IC=1mA
IC=10mA
IE=1mA
VCE=5V, IC=0.2A
hFE1:VCE=5V, IC=20mA
hFE2::VCE=5V, IC=0.2A
IC=1.0A, IB=0.25A
IC=1.0A, IB=0.25A
UI9600IC=0.1A
VCE=10V, IC=0.2A
f=1MHz
规范值
最小 典最大
0.1
0.1
0.1
350
200
9
15 30
0.7 0.9
0.45 1.0
1.1 1.3
2.3 4.3
1
1
5
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
μs
μs
μs
MHz
公司地址:中国江苏无锡市梁溪14
市场营销部:
服务
邮编214061 http://www. crhj.com.cn
0510-85807228 0510-85800864
邮编214061 / 0510-85807228-3663/5508
E-mailzhaol@crhj.com.cn 0510-85800360
邮编214061 / 0510-85807228-3399 / 2227
E-mailapply@crhj.com.cn
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/3

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD13003V6DSilicon NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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