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3DD3015A3 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Transistor - Huajing Microelectronics

भाग संख्या 3DD3015A3
समारोह Silicon NPN Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Huajing Microelectronics 
लोगो Huajing Microelectronics लोगो 
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<?=3DD3015A3?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD3015A3 pdf
3DD3015 A3
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=450V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=0.2A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V,IC=0. 2A
IC=0.5A, IB=0.1A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=0.5A, IB=0.1A
极管正向电压
Vf* If = 2 A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.1A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 20~25~30~35~40
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
450
9
20 40
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.3 0.8 V
1 1.5 V
1.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要求
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD3015A1Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplificationHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3015A1-HSilicon NPN bipolar transistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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