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3DD207I डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 3DD207I
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3DD207I?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD207I pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
3DD207i
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA; IB= 0
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 1mA; IE= 0
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 1mA; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.3A
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 3A; IB= 0.3A
ICBO Collector Cutoff Current
VCB=200V; IE=0
hFE DC Current Gain
IC= 1A; VCE= 4V
MIN MAX UNIT
200 V
200 V
6V
1.0 V
1.5 V
0.5 mA
100 200
isc websitewww.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
2

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD207Silicon NPN Power TransistorsInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
3DD2073NPN TransistorETC
ETC


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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