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2N4576 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2N4576
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2N4576?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2N4576 pdf
isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2N4576
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO(SUS)* Collector-Emitter Sustaining Voltage IC=30mA; IB= 0
ICEO Collector Cutoff Current
VCE=80V;IB= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB=8V; IC= 0
hFE DC Current Gain
*:Pulse test:Pulse width=300us,duty cycle≤2%
IC=4A; VCE= 4V
MIN MAX UNIT
80 V
1 mA
0.1 mA
50 150
isc websitewww.iscsemi.com
2 isc & iscsemi is registered trademark

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2N457TransistorAdvanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
2N457BJTNew Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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