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2SC1815 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SC1815
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC1815?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC1815 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Transistor
isc Product Specification
2SC1815
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 100mA ; IB= 10mA
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 100mA ; IB= 10mA
ICBO Emitter Cutoff Current
VCB= 60V; IE= 0
IEBO Collector Cutoff Current
hFE(1)
DC Current Gain
VEB= 5V; IC= 0
IC= 2mA ; VCE= 6V
hFE(2)
DC Current Gain
IC= 150mA ; VCE= 6V
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
IC= 1mA; VCE= 10V;
Cob Collector Output Capacitance
VCB=10V; IE=0; f=1MHz
Rbb' Base Intrinsic Resistance
NF Noise Figure
VCE=10V,IE=-1mA;f=30MHz
VCE=6V,IC=0.1mA;f=1KHz,
RG=10KΩ
hFE(1) Classifications
O Y GR
BL
70-140 120-400 200-400 350-700
MIN TYP. MAX UNIT
0.25 V
1.0 V
0.1 μA
0.1 μA
70 700
25
80 MHz
3.5 pF
50 Ω
10 dB
isc websitewww.iscsemi.com
2 isc & iscsemi is registered trademark

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC1810SPECIFICATION TRANSISTORSS / DIODESETC
ETC
2SC1812NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORWEJ
WEJ


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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