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2SC1629 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SC1629
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SC1629?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SC1629 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SC1629
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 30mA ;IB= 0
VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 16mA
VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A, IB= 30mA
VBE(on) Base-Emitter On Voltage
IC= 4A; VCE= 4V
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 90V, IE= 0
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 90V, IB= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= 6V; IC= 0
hFE DC Current Gain
IC= 1A; VCE= 4V
MIN TYP MAX UNIT
90 V
2.0 V
3.0 V
2.5 V
1 mA
5 mA
5 mA
1000
isc websitewww.iscsemi.com
2 isc & iscsemi is registered trademark

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SC1621HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLDNEC
NEC
2SC1621NPN Silicon Epitaxial TransistorKexin
Kexin


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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