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2SA1259 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon PNP Power Transistors - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 2SA1259
समारोह Silicon PNP Power Transistors
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=2SA1259?> डेटा पत्रक पीडीएफ

2SA1259 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SA1259
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= -5mA, IE= 0
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA,
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -2.5A ,IB= -5mA
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= -2.5A ,IB= -5mA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= -40V, IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= -5V; IC= 0
hFE DC Current Gain
IC= -2.5A ; VCE= -2V
MIN TYP. MAX UNIT
-70 V
-60 V
-1.0 -1.5
V
2.0 V
-0.1 mA
-3 mA
2000 5000
isc websitewww.iscsemi.com
2 isc & iscsemi is registered trademark

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
2SA1250SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SA1250POWER TRANSISTORInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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