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90N03 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power-Transistor - Tuofeng Semiconductor

भाग संख्या 90N03
समारोह Power-Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Tuofeng Semiconductor 
लोगो Tuofeng Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=90N03?> डेटा पत्रक पीडीएफ

90N03 pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
90N03
Parameter
Symbol
Conditions
Thermal characteristics2)
Thermal resistance, junction - case
SMD version, device on PCB
R thJC
R thJA
-
minimal footprint
6 cm2 cooling area3)
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 1.1 K/W
- - 62
- - 40
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V (BR)DSS V GS=0 V, I D= 1 mA
30
-
-V
Gate threshold voltage
V GS(th) V DS=V GS, I D=250uA
1.0
1.5
Zero gate voltage drain current
I DSS
V DS=24 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
50 nA
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
I GSS
R DS(on)
V GS=±20V V DS=0 V
V GS=4.5 V, ID=20 A
V GS=10 V, I D=40 A
± 100 nA
10.0 m
6.0
2

विन्यास 7 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
90N03Power-TransistorTuofeng Semiconductor
Tuofeng Semiconductor
90N03LPower-TransistorTuofeng Semiconductor
Tuofeng Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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