DataSheet.in

IRFP350FI डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या IRFP350FI
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IRFP350FI?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IRFP350FI pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRFP350FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VSD Forward On-Voltage
VDS= VGS; ID= 0.25mA
VGS= 10V; ID= 8A
VGS= ±20V;VDS= 0
VDS= 400V; VGS= 0
VDS= 320V; VGS= 0; Tj= 150
IS= 10A; VGS= 0
MIN MAX UNIT
400 V
24V
0.3 Ω
±100
nA
250
1000
μA
1.6 V
·
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
डाउनलोड[ IRFP350FI Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IRFP350FIN-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
IRFP350FIN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORSSTMicroelectronics
STMicroelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English