DataSheet.in

IRF230 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या IRF230
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IRF230?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IRF230 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
IRF230
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 250µA
RDS(on) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID= 5A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS= ±20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 200V; VGS= 0
VSD Diode Forward Voltage
IS= 9A; VGS=0
MIN MAX UNIT
200 V
2.0 4.0
V
0.40 Ω
±100 nA
250 uA
2.0 V
isc websitewww.iscsemi.cn
2
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
डाउनलोड[ IRF230 Datasheet.PDF ]


शेयर लिंक


अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IRF230N-CHANNEL POWER MOSFETSSamsung semiconductor
Samsung semiconductor
IRF230N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSeme LAB
Seme LAB


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z



www.DataSheet.in    |   2017   |  संपर्क   |   खोज     |   English