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IRF152 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या IRF152
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IRF152?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IRF152 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID=250µA
VGS(TH) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID=250µA
RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=20A
IGSS Gate Source Leakage Current
VGS=±20V;VDS=0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=100V; VGS=0
VSD Diode Forward Voltage
IS=33A; VGS=0
Ciss Input Capacitance
Crss Reverse Transfer Capacitance
Coss Output Capacitance
VDS=25V;
VGS=0V;
fT=1MHz
tr Rise Time
td(on)
Turn-on Delay Time
tf Fall Time
td(off)
Turn-off Delay Time
VGS=10V;
RGS=50Ω
ID=20A;
VDD=75V;
RL=50Ω
isc Product Specification
IRF152
MIN TYPE MAX UNIT
100 V
2.0 4.0 V
0.08 Ω
±100 nA
250 uA
2.3 V
3000
500 pF
1500
450
75
ns
200
300
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IRF150N-CHANNEL POWER MOSFETSSamsung semiconductor
Samsung semiconductor
IRF150N-CHANNEL POWER MOSFETSeme LAB
Seme LAB


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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