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21N60 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 21N60
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=21N60?> डेटा पत्रक पीडीएफ

21N60 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
21N60
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VSD Diode Forward On-voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
Ciss Input Capacitance
Crss Reverse Transfer capacitance
Coss Output Capacitance
tr Rise Time
td(on)
Turn-on Delay Time
tf Fall Time
td(off)
Turn-off Delay Time
CONDITIONS
VGS= 0; ID=250µA
VDS= VGS; ID=250µA
IS= 21A ;VGS= 0
VGS= 10V; ID= 13A
VGS= ±20V;VDS= 0
VDS=600V; VGS= 0
VDS=25V;
VGS=0V;
fT=1MHz
VGS=10V;
ID=10A;
VDD=300V;
RL=50Ω
MIN TYPE MAX UNIT
600 V
2.0 4.0 V
1.5 V
0.32 Ω
±100 nA
250 µA
4500
160 pF
550
110
100
ns
105
220
·
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
21N60N-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
21N60IXFH21N60IXYS Corporation
IXYS Corporation


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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