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3DD325 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 3DD325
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3DD325?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD325 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
3DD325
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA; IB= 0
3DD325A
3DD325B
30
50
V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 0.5mA; IC= 0
4
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.5A; IB= 50mA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 50V; IE= 0
0.5 V
10 μA
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 15V; IB= 0
0.1 mA
IEBO Emitter Cutoff Current
VEB= 4V; IC= 0
0.1 mA
hFE DC Current Gain
IC= 0.5A; VCE= 3V
50 200
hFE Classifications
Green
Blue
Purple
Grey
50-70 70-100 100-140 140-200
isc websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD325Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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