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3DD15B डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 3DD15B
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3DD15B?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD15B pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
3DD15B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 5mA; IB= 0
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 1mA; IE= 0
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 1mA; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.25A
ICEO Collector Cutoff Current
VCE= 50V; IB=0
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 50V; IE=0
hFE DC Current Gain
IC= 2A; VCE= 10V
tf Fall Time
IC= 3A; IB1= 0.2A, IB2= -0.3A,
MIN MAX UNIT
100 V
150 V
5V
1.5 V
1.0 mA
0.5 mA
30 250
1.0 μs
isc websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD15Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
3DD1545NPN TransistorHuajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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