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B5818WS डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Schottky Barrier Diode - Galaxy Semi-Conductor

भाग संख्या B5818WS
समारोह Schottky Barrier Diode
मैन्युफैक्चरर्स Galaxy Semi-Conductor 
लोगो Galaxy Semi-Conductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=B5818WS?> डेटा पत्रक पीडीएफ

B5818WS pdf
BL Galaxy Electrical
Production specification
Schottky Barrier Diode
B5817WS-B5819WS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Parameter
Reverse breakdown voltage
Symbol Test Condition
IR=1mA
V(BR)
Reverse voltage leakage current IR
Forward voltage
Diode capacitance
VF
CD
VR=20V
VR=30V
VR=40V
B5817WS
B5818WS
B5819WS
VR=4V,f=1MHz
MIN MAX UNIT
B5817WS
B5818WS
B5819WS
B5817WS
B5818WS
B5819WS
IF=1A
IF=3A
IF=1A
IF=3A
IF=1A
IF=3A
20
30
40
V
1 mA
0.45
0.75
0.55
0.875
0.6
0.9
120
V
pF
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Document number: BL/SSSKB009
Rev.A
www.galaxycn.com
2

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
B5818WSCHOTTKY BARRIER DIODEJCET
JCET
B5818WSchottky Barrier DiodeRectron
Rectron


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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